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无锡华润上华请求半导体结构的制备办法专利进步吸气剂层的吸气才能

来源:ob体育最新官网入口    发布时间:2025-04-27 18:52:54

  金融界 2025 年 2 月 21 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,无锡华润上华科技有限公司请求一项名为“半导体结构的制备办法”的专利,公开号 CN 119490162 A,请求日期为 2023 年 8 月。

  专利摘要显现,本请求触及一种半导体结构的制备办法。该半导体结构的制备办法有:供给盖帽层;于所述盖帽层上构成沟槽;于所述沟槽内构成吸气剂资料,并选用处理气体对所述吸气剂资料来外表处理,其间,履行该过程至少两次,以构成具有微孔的吸气剂层。本请求不光可以构成具有微孔的吸气剂层,还可以使吸气剂层中的微孔数量较多,进步吸气剂层的外表积,来提升了吸气剂层的吸气才能。

  天眼查资料显现,无锡华润上华科技有限公司,成立于2002年,坐落无锡市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱66801.147万美元,实缴本钱66801.147万美元。经过天眼查大数据分析,无锡华润上华科技有限公司参加招投标项目3713次,知识产权方面有商标信息5条,专利信息1414条,此外企业还具有行政许可104个。

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